HF-Leistungsverstärker in modernen Silizium- und Verbindungshalbleitern-Technologien

{"ID":4022768,"post_title":"HF-Leistungsverst\u00e4rker in modernen Silizium- und Verbindungshalbleitern-Technologien","title":"HF-Leistungsverst\u00e4rker in modernen Silizium- und Verbindungshalbleitern-Technologien","post_content":"Diese Dissertation besch\u00e4ftigt sich mit HF-Leistungsverst\u00e4rkern auf Basis moderner Transistortechnologien und verfolgt aktuelle Trends im Bereich Silizium- und III-V-Verbindungshalbleiter. Dies umfasst den Entwurf von innovativen HF-Leistungstransistoren und -Verst\u00e4rkern, Aspekte zur Charakterisierung und Aufbautechnik sowie den Vergleich zum aktuellen Stand von Wissenschaft und Technik. Im ersten Teil richtet sich der Fokus auf MMIC-Leistungsverst\u00e4rker f\u00fcr 5-6-GHz-WLAN-Anwendungen. Hierbei wird zun\u00e4chst auf den Entwurf eines Push-Pull-PAs in einer 0.25-?m-BiCMOS-Technologie eingegangen. Mit einer Betriebsspannung von lediglich 1.8 V zeigt dieser Verst\u00e4rker ein breitbandiges Verhalten und erreicht im Frequenzbereich 5?6.2 GHz eine S\u00e4ttigungsleistung von > 24 dBm. Der maximale Wirkungsgrad liegt bei ? = 27 % (PAE = 18 %) mit einer Verst\u00e4rkung von typischerweise 9 dB. Um diese Performance weiter zu verbessern, wird eine innovative Transformer-Combining-Topologie vorgestellt. Im Vergleich zum Push-Pull-Verst\u00e4rker kann diese eine erh\u00f6hte Verst\u00e4rkung > 12 dB sowie einen exzellenten PAE-Maximalwert von 23 % bei sonst \u00e4hnlichen Eigenschaften erzielen. Als zweite Zielstellung wird die Steigerung der HF-Leistungs-Performance innerhalb moderner (Bi)CMOS-Technologien verfolgt. In diesem Rahmen stehen die Analyse, der Entwurf und die Evaluierung von LDMOS-Transistoren f\u00fcr Anwendungen bis in den 6-GHz-Bereich im Mittelpunkt. Der Einfluss von Transistorgr\u00f6sse und -Geometrie sowie auch der Stabilit\u00e4tsnetzwerke wird unter Verwendung HF-optimierter LDMOS-Strukturen untersucht. Die Evaluierung der Source\/Load-Load-Pull-Messungen wird mit Hilfe mehrerer hybrider Verst\u00e4rkermodule durchgef\u00fchrt. Als eine der ersten Ver\u00f6ffentlichungen kann diese Arbeit eine 6-GHz-LDMOS-Implementation in einer Standard-BiCMOS-Technologie mit einer Ausgangsleistung von mehr als 1 W und einem Wirkungsgrad \u00fcber 40 % demonstrieren. Der dritte Teil besch\u00e4ftigt sich mit GaN-Doherty-Verst\u00e4rkern f\u00fcr das 6-GHz-Band. Die Kombination von Doherty-Konzept mit Strategien zur Harmonischen-Terminierung, einem auf Device-Referenzebene optimierten Entwurf und der entwickelten Chip-&-Wire-Aufbautechnik erlaubt die Realisierung von einem der ersten 6-GHz-Doherty-Verst\u00e4rker mit exzellenter Wirkungsgrad-, Leistungs- sowie Linearit\u00e4ts-Performance. Unter Verwendung zweier GaN-Chip-Transistoren kann eine maximale Ausgangsleistung von 41.5 dBm mit einem maximalen Wirkungsgrad von 63 % erreicht werden. Im 6-dB-Backoff-Punkt wird dabei ein exzellenter Wirkungsgrad von 49 % erzielt.","image":"https:\/\/images.thalia.media\/00\/-\/75bed2016a4d42d3a4b4a00574001dec\/hf-leistungsverstaerker-in-modernen-silizium-und-verbindungshalbleitern-technologien-paperback-daniel-gruner.jpeg","url":"https:\/\/www.vergleiche.ch\/unterhaltung\/product\/hf-leistungsverstarker-in-modernen-silizium-und-verbindungshalbleitern-technologien\/","min_price":48.89999999999999857891452847979962825775146484375,"low_price_merchant_id":70254503,"deeplink":"https:\/\/www.awin1.com\/pclick.php?p=40993252841&a=401125&m=13971&pref1=9783954042432","ean":9783954042432,"brand":"undefined"}