Vo vtoroy chasti rassmotreny osnovy funktsionirovaniya submikronnykh geterostrukturnykh polevykh tranzistorov razlichnoy modifikatsii, v tom chisle s kvantovymi tochkami, moshchnykh tranzistorov (geteropolevykh, geterobipolyarnykh, MOP), privedeny metody i rezul'taty ikh modelirovaniya. Opisana model' rezonansno-tunnel'nykh diodov s ispol'zovaniem metoda ogibayushchey volnovoy funktsii. Prednaznacheno dlya studentov, obuchayushchikhsya po napravleniyu "Mikro- i nanoelektronika", mozhet byt' polezno... Mehr
Preis-Alarm
