Berührungslose Defektanalytik von Halbleitermaterialien

{"ID":5242796,"post_title":"Ber\u00fchrungslose Defektanalytik von Halbleitermaterialien","title":"Ber\u00fchrungslose Defektanalytik von Halbleitermaterialien","post_content":"Die hochempfindliche Methode der \"Microwave Detected Photoconductivity\" (MDP) wird eingesetzt, um technologisch relevante Halbleiterparameter wie die Ladungstr\u00e4gerlebensdauer, Photoleitf\u00e4higkeit und Defektkonzentrationen \u00fcber viele Gr\u00f6\u00dfenordnungen der optischen Anregung hinweg zu untersuchen. Durch die Entwicklung und die Anwendung eines neuartigen Modellierungssystems f\u00fcr die Ladungstr\u00e4gerdynamik in Halbleitern k\u00f6nnen wichtige Defektparameter quantitativ aus MDP Messungen in Abh\u00e4ngigkeit der Anregungsintensit\u00e4t bestimmt werden. Ein Verfahren zur Charakterisierung von Haftstellen (Konzentration, Energielage, Einfangsquerschnitt) bei konstanter Temperatur wird vorgestellt. Das technologisch relevante Verfahren des quantitativen Eisennachweises in p-dotiertem Silizium wird f\u00fcr die MDP Methode angepasst und entsprechende Messergebnisse mit DLTS Resultaten verglichen. Ein detaillierter Vergleich der g\u00e4ngigsten kontaktlosen Messverfahren QSSPC und MW-PCD mit der MDP zeigt, dass entgegen g\u00e4ngiger Annahmen die unterschiedlichen Anregungsbedingungen zu drastischen Unterschieden in den gemessenen Werten der Ladungstr\u00e4gerlebensdauer f\u00fchren.","image":"https:\/\/c4-static.dodax.com\/v2\/180-180-136547782_Zqyv9-png","url":"https:\/\/www.vergleiche.ch\/unterhaltung\/product\/beruhrungslose-defektanalytik-von-halbleitermaterialien\/","min_price":93.900000000000005684341886080801486968994140625,"low_price_merchant_id":70254503,"deeplink":"https:\/\/www.awin1.com\/pclick.php?p=41013106023&a=401125&m=13971&pref1=9783838124407","ean":9783838124407,"brand":"undefined"}