Infineon Technologies Transistor (BJT) - diskret BFN26E6327HTSA1 SOT-23 PNP Tape on Full reel

Infineon Technologies Transistor (BJT) - diskret BFN26E6327HTSA1 SOT-23 PNP Tape on Full reelSMD-Hochspannungstransistoren BCX_, BF_,Technische Daten: Ausführung (Transistoren): PNP · Collector-Strom I(C): 0.8 A · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 250 µA · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-23 · Kollektor-Emitterspannung U(CEO): 32 V · Leistung (max) P(TOT): 0.33 W · Montageart: Oberflächenmontage · Transitfrequenz f(T): 0.2 GHz · Verpackungsart (Bauteile): Tape on Full reel